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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷
模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷相信很多人都想知道吧？以下是小編為您整理的相關(guān)資料，歡迎閱讀！
一、填空(18分)
1.二極管最主要的特性是 單向?qū)щ娦?。
2.如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V，橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為 9 V，經(jīng)過電容濾波后為 12 V，二極管所承受的最大反向電壓為 14 V。
3.差分放大電路，若兩個輸入信號uI1uI2，則輸出電壓，uO 0 ;若u I1=100V，u I 2=80V則差模輸入電壓uId=20V;共模輸入電壓uIc=90 V。
4.在信號處理電路中，當(dāng)有用信號頻率低于10 Hz時，可選用 低通 濾波器;有用信號頻率高于10 kHz時，可選用 高通 濾波器;希望抑制50 Hz的交流電源干擾時，可選用 帶阻 濾波器;有用信號頻率為某一固定頻率，可選用 帶通 濾波器。
5.若三級放大電路中Au1Au230dB，Au320dB，則其總電壓增益為 80 dB，折合為 104 倍。
6.乙類功率放大電路中，功放晶體管靜態(tài)電流ICQ 0 、靜態(tài)時的電源功耗PDC= 0 。這類功放的能量轉(zhuǎn)換效率在理想情況下，可達(dá)到 78.5% ，但這種功放有 交越 失真。
7.集成三端穩(wěn)壓器CW7915的輸出電壓為 15 V。
二、選擇正確答案填空(20分)
1.在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為0 V，-10 V，-9.3 V，則這只三極管是( A )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型鍺管
C.PNP 型硅管 D.PNP 型鍺管
2.某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為( D )。
A.P溝道增強(qiáng)型MOS管 B、P溝道結(jié)型場效應(yīng)管
C、N溝道增強(qiáng)型MOS管 D、N溝道耗盡型MOS管
3.通用型集成運(yùn)放的輸入級采用差動放大電路，這是因?yàn)樗? C )。
A.輸入電阻高 B.輸出電阻低 C.共模抑制比大 D.電壓放大倍數(shù)大
4.在圖示電路中,Ri 為其輸入電阻，RS 為常數(shù)，為使下限頻率fL 降低，應(yīng)( D )。
A.減小C，減小Ri B. 減小C，增大Ri
C. 增大C，減小 Ri D. 增大C，增大 Ri
5.如圖所示復(fù)合管，已知V1的1 = 30，V2的2 = 50，則復(fù)合后的約為( A )。
A.1500 B.80 C.50 D.30
6.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和( D )。
A.基本共射放大電路 B.基本共集放大電路
C.反相比例運(yùn)算電路 D.同相比例運(yùn)算電路
7.已知某電路輸入電壓和輸出電壓的波形如圖所示,該電路可能是( A )。
A.積分運(yùn)算電路 B.微分運(yùn)算電路 C.過零比較器 D.滯回比較器
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