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電力電子技術基礎
電力電子技術基礎
1、晶體管具有電流放大作用的內(nèi)部條件是基區(qū)很薄、集電結(jié)面積大；
2、晶體管放大作用的實質(zhì)是用一個小電流控制一個大電流；
3、晶體管的擊穿電壓與溫度有關，會發(fā)生變化；
4、PNP型與NPN型晶體管都可以看成是反向串聯(lián)的兩個PN結(jié)；
5、帶阻尼晶體管是將晶體管、阻尼二極管、與保護電阻封裝在一起構(gòu)成的；
6、差分對管是將兩只性能參數(shù)相同的晶體管封裝在一起構(gòu)成的；
7、達林頓管的放大系數(shù)很高，主要用于高增益放大電路等；
8、場效應晶體管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類；
9、結(jié)型場效應不僅僅依靠溝道中的自由電子導電；
10、場效應晶體管的輸出特性曲線可分為四個區(qū)域；
電力電子技術基礎
1、半導體的導電能力隨溫度變化而變化；
2、P型半導體又稱為空穴半型半導體；
3、PN結(jié)的P區(qū)接電源正極、N區(qū)接電源負極的接法叫做正偏；
4、PN結(jié)的P區(qū)接電源正極、N區(qū)接電源負極的接法叫做反偏；
5、PN結(jié)正向偏值時處于導通狀態(tài)；
6、PN結(jié)反向偏值時處于截止狀態(tài)；
7、硅二極管的正向電壓為0.7V，鍺管為0.3V；
8、對于質(zhì)量良好的二極管，其正向電阻一般為幾百歐姆；
9、穩(wěn)壓二極管廣泛應用于穩(wěn)壓電源與限幅電路中；
10、變?nèi)荻䴓O管的反向偏壓越大，其結(jié)電容越大；